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宜普推出用于eGaN场效应晶体管设计的EPC9004开发板
发布时间:2011-08-19
浏览次数:849 次

 

  宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9004开发板,这种开发板能使用户更方便地使用宜普200V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管设计产品,其应用范围广泛,如太阳能微型逆变器、D类音频放大器以太网供电(PoE)系统和同步整流器。

  EPC9004开发板是一种200V最大输入电压、2A最大输出电流并带板载栅极驱动器的半桥电路设计及采用EPC2012 200V eGaN FET。推出这种开发板的目的是简化评估EPC2012 eGaN FET的过程,因为EPC9004是块单板,上面集成了所有关键元器件,可以方便地连接任何现有转换器

  EPC9004开发板尺寸为2英寸x1.5英寸,不仅包含了带栅极驱动器且采用半桥配置的两个EPC2012 eGaN FET,而且包含有板载栅极驱动电源和旁路电容。电路板上还设计有多个探测点,以便测量简单的波形和计算效率。

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