与标准0.5和0.35微米的电源管理CDMOS制程相比，宏力半导体的最新0.18微米电压可调CDMOS拥有更为紧凑的设计规则和包括STI、Co silicide和ONO spacer等在内更为先进的工艺模块，从而可以减小单元尺寸并提高芯片的性能。

由5V电压驱动的高压LDMOS器件的dual-gate解决方案建立在0.18微米CMOS低压逻辑制程上，由此可以促进智能电源管理产品的开发。

该制程可调电压的范围是NLDMOS(12V-60V)和PLDMOS(12V-45V)，其卓越的连续可调特性适用于对电压有不同要求的电源管理应用。客户可在同一个工艺平台上调节ESD和Latch up，而无需在不同电压的平台上进行工艺的调整。

宏力半导体还特别为这个制程研发了一整套功能丰富的模型，以支持全程电压可调LDMOS晶体管的工作电压和相关几何参数。与此同时，为工艺平台配套的设计工具包(PDK)提供的Pcells可以让设计师基于用户输入的最大工作电压(Vdsmax)、和多指结构中的指宽度和指数目而设计出晶体管的版图。此外，该设计工具包的关键之处在于应用Rdson(导通电阻)的输入、最大工作电压和布局风格的功率单元之合成，从而用户可以很方便地合成输出功率单元的版图。

低Rdson提供了极高的工作效率并允许高负载电流，由此芯片的功耗将减小到最低值。此外，宏力半导体还为电源管理芯片提供了多种工艺选项，包括高压Bipolars、Zener二极管、 Schottky二极管、顶层厚铝、悬浮NLDMOS、MIM电容、多晶硅高阻值电阻和OTP。

“宏力半导体是国内第一家成功研发0.18微米电压可调CDMOS制程及其设计工具包的晶圆代工厂。该工艺的优势在于通过高压Bipolar器件就可满足目前很多必须使用复杂的BCD工艺的应用需求，由此可帮助客户极大地优化其产品的成本结构。”销售市场及服务资深副总裁卫彼得博士说，“另外，由于其电压可调及拥有多个工艺选项的特性，可以加速设计周期，为客户缩短产品投放市场的时间。这个新工艺应用十分广泛，例如电源管理、LED驱动、音频芯片和马达控制。”