Diodes公司推出两款新型双通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD，扩展了旗下DIOFET产品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD将一个经过优化的控制MOSFET及一个专有DIOFET集成在一个SO8封装中，为消费类及工业应用的负载点转换器提供高效的解决方案。

　　低侧DIOFET器件在一个芯片内集成了一个功率MOSFET和反并联肖特基二极管。DIOFET的典型RDS(ON) 值较低，能确保传导损耗保持在最低水平，而其正向电压 (VSD) 比同类MOSFET/肖特基解决方案低25%，因此在脉宽调制(PWM)死区时，通过体二极管把传导损耗减至最低。此外，DMS3017SSD和DMS3019SSD内的高侧MOSFET具有低栅极电荷和快速开关功能，能把高侧开关损耗减至最低。

　　凭借这些特性，DMS3017SSD和DMS3019SSD可在满载状态下提供94%的负载点转换效率，同时减少占板面积，并通过减少联合封装或外部贴装肖特基二极管相关的寄生电感来改善电路设计。

　　在低于同类解决方案的工作温度下，DMS3017SSD及DMS3019SSD同样可提供这些性能。这些元件可在更低温度下工作，有助提高可靠性，因为当MOSFET的结温每降低10°C，负载点转换器的寿命可靠性将增加一倍。