IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59 mΩ，可匹配广泛的功率要求。P 沟道 MOSFET 无需使用电平转换或充电泵电路，使其成为系统/负载开关应用非常理想的解决方案。 产品规格  

器件编号	封装	BV (V)	最大 Vgs  (V)	10V下的 典型 / 最大RDS(on) (mΩ)	4.5V下的 典型 / 最大RDS(on) (mΩ)
	SO-8	-30	20	3.9 / 4.6	5.8 / 6.8
	SO-8	-30	20	5.4 / 6.6	8.3 / 10.2
	SO-8	-30	20	5.9 / 7.2	9.3 / 11.2
	SO-8	-30	20	10.0 / 11.9	16.1 / 19.7
	SO-8	-30	20	13.6 / 17.5	22.5 / 28.1
	SO-8	-30	20	15.6 / 19.4	25.6 / 32.5
	SO-8	-30	20	48 / 59	83 / 110
	SO-8 (dual)	-30	20	17.0 / 21.0	25.7 / 32