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高增益50W GaN HEMT功率放大器
发布时间:2010-06-10
浏览次数:656 次

Toshiba推出C-BAND SATCOM应用的高增益50W GaN HEMT功率放大器东芝美国电子元器件公司推出其功率放大器产品系列中的50W C频段氮化镓(GaN)半导体高电子迁移晶体管(HEMT)。

Toshiba 的50W TGI7785-50L是另一个商业C-频段用的GaN HEMT,用于卫星通信应用中,在去年推出的还有120W C-频段放大器,和其它GaN Toshiba Ku-频段器件。

该新器件工作频率为7.7 GHz~8.5 GHz。RF性能规范包括输出功率为47.0dBm (典型值) 以及输入功率为40dBm,线性增益为11.0dB (典型值),以及漏极电流为5.0 Amps(典型值)。

该器件可提高输出功率,有助于在固态功率放大器(SSPA)中减少尺寸和重量,用于SATCOM中。

技术规范50W TGI7785-50L GaN HEMT

产品型号

TGI7785-50L

频率

7.7 - 8.5 GHz

输出功率(典型值)

47.0dBm

线性增益(典型值)

11.0dB

漏极电流, VDS/IDS(典型值.)

24V/ 5 A

效率

33%

封装

7- AA0 4 A

 

价格和供货情况

现可提供TG I7785-50L样品,批量生产预计于2010第三季度,欲获得产品的详细价格,请联系Toshiba代理。

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