第四代N沟道器件降低导通和开关损耗，提高能效

宾夕法尼亚、MALVERN — 2020年12月23日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n沟道SiHH070N60EF导通电阻比其前代器件低29 %，为通信、工业、计算和企业级电源应用提供高效解决方案，同时栅极电荷下降60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数（FOM）创业界新低。

Vishay提供丰富的MOSFET技术支持各级功率转换，涵盖高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。随着SiHH070N60EF的推出，以及即将发布的第四代600 V EF系列产品，Vishay可满足电源系统架构设计前两个阶段提高能效和功率密度的要求—包括图腾柱无桥功率因数校正（PFC）和软切换DC/DC转换器拓扑结构。

SiHH070N60EF基于Vishay最新高能效E系列超结技术，10 V条件下典型导通电阻仅为0.061 Ω，超低栅极电荷降至50 nC。器件的FOM为3.1 Ω*nC，比同类最接近的MOSFET低30 %。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而节省能源。SiHH070N60EF有效输出电容Co（er）和Co（tr）分别仅为90 pf和560 pF，可改善零电压开关（ZVS）拓扑结构开关性能，如LLC谐振转换器。器件的Co（tr） 比同类紧随其后的MOSFET低32 %。

日前发布的器件采用PowerPAK® 8x8封装，符合RoHS标准，无卤素，耐受雪崩模式过压瞬变，并保证极限值100 %通过UIS测试。

SiHH070N60EF现可提供样品并已实现量产，供货周期为10周。