【2020年7月14日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）为其1200 V CoolSiC™ MOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计，以及沟槽栅芯片技术，为碳化硅打开了250kW以上（硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限）中等功率应用的大门。在传统62mm IGBT模块基础上，将碳化硅的应用范围扩展到了太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。

该62mm模块配备了英飞凌的CoolSiC MOSFET芯片，可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗和传导损耗可以最大限度地减少冷却器件的尺寸。在高开关频率下运行时，可使用更小的磁性元件。借助英飞凌CoolSiC芯片技术，客户可以设计尺寸更小的逆变器，从而降低整体系统成本。

它采用62mm标准基板和螺纹接口，具有高鲁棒性的结构设计，从而最大限度地优化并提高系统可用性，同时降低维修成本并减少停机损失。出色的温度循环能力和150°C的连续工作温度（Tvjop），带来出色的系统可靠性。其对称的内部设计，使得上下开关有了相同的开关条件。可以选装“预处理热界面材料”（TIM）配置，进一步提高模块的热性能。

供货情况

采用62 mm封装的1200 V CoolSiC™MOSFET有6mΩ/ 250 A、3mΩ/ 357 A和2mΩ/ 500A型号可供选择。它还有专为快速特性评估（双脉冲/连续工作）而设计的评估板可供选择。为了便于使用，它还提供了可灵活调整的栅极电压和栅极电阻。同时，还可作为批量生产驱动板的参考设计使用。