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Vishay发布11颗采用Gen II超级结技术的新款500V高压MOSFET
发布时间:2015-01-23
浏览次数:1772 次

  宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 1 月22 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件,这些器件适合应用在功率不超过500W的开关电源。这些Vishay Siliconix MOSFET具有与E系列600V和650V器件相同的优点极低导通损耗和开关损耗等,可帮助客户达到更高的性能/效率标准,例如某些高性能消费类产品、照明应用,以及ATX/银盒PC开关电源所要求的严格的80 PLUS转换效率标准。

  今天推出的这些500V MOSFET采用第二代超级结技术制造,为基于标准平面技术的Vishay现有的500V D系列提供了高效率的补充产品。器件的电流从12A到20A,具有190mΩ~380mΩ的低导通电阻和22nC~45nC的超低栅极电荷,这种组合为功率转换应用提供了十分有利的优值系数(FOM)。

  器件的低导通电阻还有助于提高功率密度,同时其更快的开关速度可提高如功率因数校正(PFC)、双开关正激转换器和反激式转换器等典型硬开关拓扑的效率。

  器件符合RoHS,可承受雪崩和换流模式里的高能脉冲,并且保证限值通过100%的UIS测试。

  器件规格表:
 

Vishay Siliconix MOSFET 规格表

  新的500V功率MOSFET现可提供样品,并已实现量产,供货周期为十六周到十七周。

  VISHAY简介

  Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”,是全球分立半导体二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器电感器电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。

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