东京—东芝公司（TOKYO：6502）旗下半导体&存储产品公司今天宣布，推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）栅极驱动器“TPD7104F”。新产品是一个适用于电荷泵的一体化电路，与东芝的传统产品相比，工作电压更低［1］，为VDD（opr）= 5至18V。即日起可供货。

　　新产品主要规格

　　· BiCD 0.13μm工艺

　　· 供电电压：VDD（opr）=5至18V

　　· 内置过流保护功能

　　· 内置过流诊断功能

　　· 输出电压

　　VOUT=VDD + 8V（最低值）@VDD=5V，IOUT=-100µA，Tj=-40至125°C

　　VOUT=VDD + 10V（最低值）@VDD=8至18V，IOUT=-100µA，Tj=-40至125°C

　　· 小型封装： PS-8（2.8mm × 2.9mm）

　　应用

　　适用于汽车应用，驱动12V蓄电池所使用的高边N沟道MOSFET，包括用于怠速停止系统和电动助力转向系统（EPS）的半导体继电器和半导体负载开关。

　　· 注1：与“TPD7102F”（VDD=7至18V）相比