美国Integrated Device Technologies（IDT）公司推出了新款低频带RF混频器IC“IDT F1102”，用于支持LTE以及EGSM的无线通信基站（英文发布资料）。该产品主要面向将RF信号转换成IF（中频）信号的用途。据介绍，与业界标准产品相比，新产品将三阶互调失真（IMD3）改善了15dB以上，而且将耗电量降低了40％以上。

　　为了支持分集处理，新产品采用双通道构成。支持的RF频带为400M～1000MHz、IF频带为20M～300MHz，增益为9.0dB。线性度指标——输出三阶交调截取取点（Output Third-order Intercept Point，OIP3）在标准（STD）模式时为＋43dBm，在低电流（LC）模式时为＋36dBm。消耗电流在STD模式时为330mA，在LC模式时为235mA。噪声指数（NF）不到10dB。建立时间不足200ns，IF输出的阻抗为200Ω。

　　新产品的电源电压为＋4.75～＋5.25V。采用36端子QFN封装，封装面积为6mm×6mm。现已开始面向特定客户样品供货。