美高森美公司（Microsemi ）宣布扩大RF功率产品线，推出DRF1400功率MOSFET。该产品非常适合在广泛的工业、科学和医疗 （industrial、scientific and medical，ISM） 应用的RF产生器中使用，包括用于半导体、LCD和太阳能电池制造的电浆产生，以及工作频率高达30 MHz 的CO2雷射器。

　　美高森美的DRF系列产品在单一高散热性能封装中整合RF闸极驱动器、功率MOSFET和相关的旁路电容器。DRF1400採用半桥拓扑，是美高森美 DRF系列中的第一款半桥拓扑元件，在1 kW下可提供高于92%的效率。此外，低寄生电容和电感，加上施密特（Schmitt）触发器输入、卡尔文（Kelvin）讯号地线、防振铃功能、反相和同相（non-invert）选择接脚，为kW到数千瓦的高频ISM应用提供了改进的稳定性和控制功能。高整合度还可缩减材料清单（bill-of-material）元件数目和成本。其它功能包括：整合RF驱动器，可以简化驱动级设计，允许输入简单的逻辑讯号；内部旁路电容器，可以减少寄生电感并提供最稳定的电源电压；高崩溃电压（500V） MOSFET，经由半桥拓扑达成较高的功率输出；以及高散热性能专有封装，能够提供高达1.4 kW的功率。

　　美高森美现可提供DRF1400的工程样品，客户可从美高森美购买相关的DRF1400参考设计包（13.56 MHz， Class-D半桥）。此参考设计包提供快速推出》1kW的RF功率设计所需的所有硬体，还提供涵盖RF系统设计人员的运作基础知识和设计考量的设计指南。