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电装展出输出功率密度高达60kW/L的SiC逆变器
发布时间:2012-05-28
浏览次数:1060 次

  电装在汽车展会“人与车科技展2012”(2012年5月23~25日)上展出了输出功率密度高达60kW/L的逆变器,并公开了其性能参数等。该逆变器的体积为0.5L,输出功率为30kW时,输出功率密度为60kW/L,此时功率元件的温度为180℃左右。

  这款逆变器还还降低了电能损失,与利用Si制IGBT的逆变器相比,电力损失可降低68%(30Arms时)。

  该逆变器由配备SiC制功率元件的模块,以及用于驱动该功率元件的控制电路、冷却风扇以及电容器等构成。

  逆变器模块中,晶体管采用沟道型SiC制MOSFET二极管采用沟道型SiC制MOSFE内的体二极管。这样做是为了使模块小型化。SiC制MOSFET的耐压为1200V,导通电阻为30mΩ。芯片尺寸约为5mm见方。

  逆变器模块内封装有供三个相位用的高侧和低侧用SiC制MOSFET。每一个相位的高侧和低侧各并联使用3枚SiC制MOSFET芯片,整个逆变器模块共有18枚芯片。

  MOSFET约为5mm见方,每枚芯片“可流过100A的电流,但此次采用了3枚芯片共流过70A左右电流的设计”(解说员)。也就是说,每枚芯片流过23A左右的电流。

  另外,逆变器模块的寄生电感也得以降低。

  此次的逆变器是电装与丰田汽车及丰田中央研究所的共同研发成果。

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