美国Transphorm公司发布了耐压为600V的GaN类功率元件。该公司是以美国加州大学圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人员为核心创建的风险企业，因美国谷歌向其出资而备受功率半导体行业的关注。该公司致力于开发使用Si基板来降低制造成本的GaN类功率元件。

　　Transphorm此次发布了3款产品。第1款是“TPS30xxPK”系列GaN类二极管，该系列产品耐压均为600V、输出电流为2A～6A不等。第2款是耐压为600V、导通电阻为180mΩ的GaN类功率晶体管“TPH3006PS”。TPS30xxPK系列与TPH3006PS均采用TO-220封装。

　　第3款是利用GaN类功率元件制成的功率模块“TPT3044M”，耐压同样为600V。

　　另外，据Transphorm介绍，这些产品均已在2012年5月8日～10日于德国举行的电源技术展会“PCIM Europe 2012”上展出。