DS1323设计灵活的非易失控制器带有锂电池监测器，采用CMOS电路设计，用于解决CMOS SRAM转换成非易失存储器的实际应用问题。对输入电源进行监测，判断电源电压是否超出容限范围。一旦监测到电源超出容限，将禁止芯片使能输出，完成写保护操作，并连通电池继续为SRAM供电。利用低漏电CMOS工艺，以极低的电池损率支持精确的电压监测。单片DS1323能够支持多达四个SRAM，可以采用三种存储器配置的任何一种。

　　除了支持电池备份外，DS1323还具备一个重要功能，可监测锂电池的剩余电量，在电池接近耗尽时发出报警信号。由于备份锂电池的开路电压在整个使用期限内保持相对稳定，需要精确测量带载情况下的电池电压。DS1323周期性地对比为内阻供电时的电池电压和适当的基准电压，实现电池监测。如果电池电压跌落到基准电压以下，电池将很快耗尽。此时，器件将触发电池报警引脚，发出需要更换电池的报警信号。

　　关键特性

　　将CMOS SRAM转换成非易失存储器

　　一旦VCC超出容限范围，将无条件进入SRAM写保护

　　VCC电源失效时，自动切换到后备电池

　　灵活的存储器结构

　　模式0：4组，每组1个SRAM

　　模式1：2组，每组2个SRAM

　　模式2：1组，每组4个SRAM

　　监测锂电池电压，在电池将要失效时发出预警信号

　　低电池电压条件下，触发低电平有效报警信号

　　电源失效时，可复位处理器并在系统上电过程中保持处理器的复位状态

　　10%电源失效检测

　　工作在工业级温度范围：-40°C至+85°C