意法半导体(STMicroelectronics)推出超结型MDmesh V系列-- STW88N65M，新产品的导通电组(On-Resistance Per Area)仅为0.029欧姆，是标准TO-247封装650伏特市场上导通电组最低的产品，打破同是MDmesh V之0.038欧姆的原产业指标。

　　其实，MDmesh V系列的金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)之高压功率已打破世界记录，其拥有每单位面积最低的导通电组，使能在650伏特额定电压应用中实现最高的能效和功率密度。

　　然而，新产品有过之无不及地提高能效指标至23%以上，对以热量形式损耗电能的系统功率转换电路，如电子照明控制器、消费性电子电源和太阳能电力转换器， 能为其在节能技术领域跨大步。设计工程人员可将新产品替代导通电组较高的MOSFET，以提高终端应用的能效，或置入更少的MOSFET电晶体，从而减少 封装尺寸并降低材料(BOM)成本。

　　功率电晶体市场总监Maurizio Giudice表示，新记录巩固意法半导体在超接面(Super-Junction)MOSFET市场的地位，MDmesh V展现意法半导体最新经市场验证的多重漏极网格(Multi-Drain Mesh)技术，新产品的更高性能降低应用设计能耗。

　　值得注意的是，该公司MDmesh V系列产品拥有高安全范围，能提高MOSFET对交流(AC)电力线上一般一边突波电压的承受能力。已上市的新产品，采用多种类型的封装，包括 Max247、TO-247、D2PAK、TO-220/扁平封装(Flat Package, FP)、PowerFLAT 8×8 HV以及I2PAK。